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NiO/g-C3N4修饰电极的制备及电催化检测抗坏血酸
来源:食品科学网 阅读量: 106 发表时间: 2017-08-30
作者: 李成,朱南南,王星,谢静文,刘素芹
关键词: 氧化镍;g-C3N4 ;电沉积;抗坏血酸;修饰电极
摘要:

利用三聚氰胺制备石墨相的氮化碳,即g-C3N4,以氯化镍和g-C3N4为基础物质采用电沉积方法制备复合化 学修饰电极。通过对裸电极、NiO/GCE、g-C3N4/GCE和NiO/g-C3N4/GCE对抗坏血酸的催化效果的比较,发现NiO和 g-C3N4的复合修饰电极对抗坏血酸具有良好的电催化氧化作用。扫描速率在70~200 mV/s范围内,峰电流与扫描速 率呈良好的线性关系:Ipa=-34.14-1.167v,R=0.998;Ipc=53.42+0.357 8v,R=0.982。峰电位随扫描速率增大有一 定的偏移,说明该修饰电极的氧化还原过程受表面控制。当抗坏血酸的质量浓度介于0.017 6~22.88 μg/mL时,其 氧化峰电流与质量浓度具有良好的线性关系,方程为:Ipa=-1.435+2.900C,R=0.998,检出限为0.008 8 μg/mL。该 传感器的选择性、重复性和稳定性良好,可用于果汁中抗坏血酸的检测。

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